企业简介
晶元光电股份有限公司 main business:Chemical and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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晶元光电股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10445079 |  |
晶元 | 2012-01-20 | 灯泡;灯管;筒子灯(反射灯);漫射灯;圣诞树电灯;车辆灯;闪光灯(手电筒);应急灯;路灯;矿灯; | 查看详情 |
| 2 | 8336772 |  |
EPISTAR | 2010-05-27 | 磷化铝镓铟晶片；磷化铝镓铟晶粒；砷化铝镓晶片；砷化铝镓晶粒；氮化铟镓晶片；氮化铟镓晶粒；晶片；半导体晶粒；发光二极体晶片；发光二极体晶粒 | 查看详情 |
| 3 | 12100708 |  |
晶元光电 EPISTAR | 2013-01-25 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人)；材料测试；物理研究；工业品外观设计 | 查看详情 |
| 4 | 10445078 |  |
晶元 | 2012-01-20 | LED户外广告显示屏；LED显示屏；电子公告牌；监视器；数量显示器；三极管；光通讯设备；闪光灯(摄影)；光学灯；灯光调节器(电)；荧光屏 | 查看详情 |
| 5 | 4034006 |  |
UEB | 2004-04-23 | 光通讯设备；半导体；晶片；单晶硅；多晶硅；电导体；光电管；晶体管；半导体器件；启辉器 | 查看详情 |
| 6 | 13436074 |  |
DESIGNED BY EPISTAR | 2013-10-28 | 灯;照明器械及装置;发光二极管(LED)照明器具;漫射灯;运载工具用灯;非医用紫外线灯;烫发灯;照明用发光管;发光门牌; | 查看详情 |
| 7 | 10445081 |  |
EPISTAR | 2012-01-20 | 灯泡；灯管；筒子灯(反射灯)；漫射灯；圣诞树电灯；车辆灯；闪光灯(手电筒)；应急灯；路灯；矿灯 | 查看详情 |
| 8 | 10445080 |  |
EPISTAR | 2012-01-20 | LED户外广告显示屏；LED显示屏；电子公告牌；监视器；数量显示器；三极管；光通讯设备；闪光灯(摄影)；光学灯；灯光调节器(电)；荧光屏 | 查看详情 |
| 9 | 12981812 |  |
DESIGN BY EPISTAR | 2013-07-26 | 氮化铟镓芯片；磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶圆；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶圆；发光二极管晶圆；氮化铟镓晶圆；芯片；半导体晶圆；发光二极管芯片； | 查看详情 |
| 10 | 12981811 |  |
DESIGN BY EPISTAR | 2013-07-26 | 漫射灯；运载工具用灯；非医用紫外线灯；烫发灯；发光二极管(LED)照明器具；发光门牌；灯；照明器械及装置；照明用发光管； | 查看详情 |
| 11 | 13005144 |  |
DESIGN BY EPISTAR | 2013-07-31 | 磷化铝镓铟芯片;磷化铝镓铟晶圆;砷化铝镓芯片;砷化铝镓晶圆;氮化铟镓芯片;氮化铟镓晶圆;芯片;半导体晶圆;发光二极管芯片;发光二极管晶圆;太阳能电池; | 查看详情 |
| 12 | 8346893 |  |
LED‘S BRIGHTEST LINK | 2010-05-31 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 13 | 8346885 |  |
EPISTAR | 2010-05-31 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 14 | 8653335 |  |
EPISTAR LAB | 2010-09-09 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 15 | 5880192 |  |
EPISTAR | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 16 | 8653333 |  |
晶元 | 2010-09-09 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 17 | 8653336 |  |
EPISTAR LAB | 2010-09-09 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶粒；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶粒；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶粒；芯片；半导体晶粒；发光二极管芯片；发光二极管晶粒；太阳能电池 | 查看详情 |
| 18 | 5880177 |  |
MARS | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 19 | 5880187 |  |
晶元光电股份有限公司 | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 20 | 5880193 |  |
晶元光电 | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 21 | 5880194 |  |
晶元光电股份有限公司 | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 22 | 5956492 |  |
PHOENIX | 2007-03-22 | 磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓晶片；晶片 | 查看详情 |
| 23 | 8336773 |  |
EPISTAR | 2010-05-27 | 磷化铝镓铟晶片；磷化铝镓铟晶粒；砷化铝镓晶片；砷化铝镓晶粒；氮化铟镓晶片；氮化铟镓晶粒；晶片；半导体晶粒；发光二极体晶片；发光二极体晶粒 | 查看详情 |
| 24 | 8346882 |  |
EPISTAR | 2010-05-31 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 25 | 8346883 |  |
EPISTAR | 2010-05-31 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 26 | 8758756 |  |
FCSP | 2010-10-20 | 磷化铝镓铟芯片;砷化铝镓芯片;氮化铟镓芯片;芯片;半导体晶粒;发光二极管芯片;发光二极管晶粒;太阳能电池;磷化铝镓铟晶粒(半导体元件);砷化铝镓晶粒(半导体元 | 查看详情 |
| 27 | 8758758 |  |
FC2SP | 2010-10-20 | 磷化铝镓铟芯片;砷化铝镓芯片;氮化铟镓芯片;芯片;半导体晶粒;发光二极管芯片;发光二极管晶粒;太阳能电池;磷化铝镓铟晶粒(半导体元件);砷化铝镓晶粒(半导体元 | 查看详情 |
| 28 | 5880179 |  |
LUNA | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片;磷化铝镓铟晶片;砷化铝镓芯片;砷化铝镓晶片;氮化铟镓芯片;氮化铟镓晶片;晶片;半导体芯片; | 查看详情 |
| 29 | 5880175 |  |
图形 | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 30 | 8336770 |  |
EPISTAR | 2010-05-27 | 磷化铝镓铟晶片；磷化铝镓铟晶粒；砷化铝镓晶片；砷化铝镓晶粒；氮化铟镓晶片；氮化铟镓晶粒；晶片；半导体晶粒；发光二极体晶片；发光二极体晶粒 | 查看详情 |
| 31 | 13436069 |  |
DESIGNED BY EPISTAR | 2013-10-28 | 芯片；氮化铟镓芯片；砷化铝镓芯片；磷化铝镓铟芯片；发光二极管芯片；太阳能电池；磷化铝镓铟晶圆；半导体晶圆；发光二极管晶圆；砷化铝镓晶圆； | 查看详情 |
| 32 | 12100707 |  |
晶元光电 EPISTAR | 2013-01-25 | 灯;照明器械及装置;发光二极管(LED)照明器具;漫射灯;运载工具用灯;非医用紫外线灯;烫发灯;照明用发光管;发光门牌; | 查看详情 |
| 33 | 5880178 |  |
VENUS | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 34 | 5956491 |  |
SATURN | 2007-03-22 | 磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓晶片；晶片 | 查看详情 |
| 35 | 1501748 |  |
晶元光电;EPISTAR | 磷化铝镓铟芯片，磷化铝镓铟晶片，砷化铝镓芯片，砷化铝镓晶片，氮化铟镓芯片，氮化铟镓晶片，晶片，半导体芯片 | 查看详情 | |
| 36 | 12100706 |  |
晶元光电 EPISTAR | 2013-01-25 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶圆；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶圆；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶圆；芯片；半导体晶圆；发光二极管芯片；发光二极管晶圆；太阳能电池 | 查看详情 |
| 37 | 13436075 |  |
DESIGNED BY EPISTAR | 2013-10-28 | 磷化铝镓铟芯片;磷化铝镓铟晶圆;砷化铝镓芯片;砷化铝镓晶圆;氮化铟镓芯片;氮化铟镓晶圆;芯片;半导体晶圆;发光二极管芯片;发光二极管晶圆;太阳能电池; | 查看详情 |
| 38 | 5880176 |  |
OMA | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片;磷化铝镓铟晶片;砷化铝镓芯片;砷化铝镓晶片;氮化铟镓芯片;氮化铟镓晶片;晶片;半导体芯片; | 查看详情 |
| 39 | 5956493 |  |
AQUARIUS | 2007-03-22 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 40 | 5880186 |  |
晶元光电 | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 41 | 5880185 |  |
EPISTAR | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 42 | 13436068 |  |
DESIGNED BY EPISTAR | 2013-10-28 | 灯;照明器械及装置;发光二极管(LED)照明器具;漫射灯;运载工具用灯;非医用紫外线灯;烫发灯;照明用发光管;发光门牌; | 查看详情 |
| 43 | 13436067 |  |
DESIGNED BY EPISTAR | 2013-10-28 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的研究和开发（替他人）；有关半导体芯片的技术研究；物理研究；材料测试；工业品外观设计； | 查看详情 |
| 44 | 8653334 |  |
晶元 | 2010-09-09 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶粒；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶粒；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶粒；芯片；半导体晶粒；发光二极管芯片；发光二极管晶粒；太阳能电池 | 查看详情 |
| 45 | 5880190 |  |
图形 | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 46 | 8758757 |  |
FC2SP | 2010-10-20 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 47 | 8346884 |  |
EPISTAR | 2010-05-31 | 节能领域的咨询；有关半导体芯片的技术研究；有关半导体芯片的研究和开发(替他人) | 查看详情 |
| 48 | 5880189 |  |
图形 | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
| 49 | 5880191 |  |
EPISTAR CORPORATION | 2007-01-31 | 磷化铝镓铟芯片；磷化铝镓铟晶片；砷化铝镓芯片；砷化铝镓晶片；氮化铟镓芯片；氮化铟镓晶片；晶片；半导体芯片 | 查看详情 |
晶元光电股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW425726 | 具有分布式接触层之高亮度发光二极体 | 2001.03.11 | 一种具有分布式接触层之高亮度发光二极体包含一第一电极;一半导体基层，形成于该第一电极上;一具有第一导 |
| 2 | TW200427110 | 一种发光二极体之制造方法 | 2004.12.01 | 一种发光二极体之制造方法，系利用旋转涂布法，将含萤光体之树脂，涂覆于发紫外光或蓝光覆晶晶片之非金接触 |
| 3 | TW200616245 | 发光二极体 | 2006.05.16 | 一种发光二极体，其藉由一接合层将一发光叠层结合于一永久基板上，其中该发光二极体更包含一电极缓冲层来加 |
| 4 | TWI285969 | 发光二极体及其制造方法 | 2007.08.21 | 本发明提供一种发光二极体(light emitting diode)及其制造方法。此发光二极体主要包 |
| 5 | TWM325523 | 一投影机光源装置 | 2008.01.11 | 一投影机光源装置，包含有一合光菱镜(combining prism)，具有一出光面及三入光面；一投射 |
| 6 | TWI315918 | 固态发光元件及其应用 | 2009.10.11 | 一种固态发光元件(Solid State Lighting Device)包括：基板、发光单元、反光 |
| 7 | TWM439267 | 发光元件封装结构、背光模组装置、照明装置 | 2012.10.11 | 本创作提供一种发光元件封装结构，包括：一发光元件，包括一发光结构和一透光基板，其中此发光结构设置于此 |
| 8 | TW201433208 | 具温度补偿元件之发光装置;LIGHT-EMITTING DEVICE WITH A TEMPERATURE COMPENSATION ELEMENT | 2014.08.16 | 一种发光装置包含:一第一发光二极体群组;一第二发光二极体群组,并联连接至第一发光二极体群组;一温度补 |
| 9 | CN106252485A | 发光装置 | 2016.12.21 | 本发明公开一种发光装置，包含：一载体；一第一发光元件，设置于载体上；以及一包覆体，包覆载体且暴露出第 |
| 10 | TWI291243 | 半导体发光元件 | 2007.12.11 | 一种半导体发光元件，包含：一半导体发光叠层，包括一第一叠层、一第二叠层形成于该第一叠层之上、以及形成 |
| 11 | TWI291241 | 半导体发光元件 | 2007.12.11 | 本发明揭露一种半导体发光元件，其包含有一基板，一覆盖该基板之第一表面的N型电极，一覆盖该基板之第二表 |
| 12 | TWI291240 | 发光二极体及其制造方法 | 2007.12.11 | 一种发光二极体(Light Emitting Diode；LED)及其制造方法。本发明之发光二极体至 |
| 13 | TWI282636 | 半导体发光元件及其制造方法 | 2007.06.11 | 一种半导体发光元件，包含一活性层，该活性层包含一井层，该井层未故意掺杂杂质、一第一障壁层及一第二障壁 |
| 14 | TW412874 | 发光二极体构造 | 2000.11.21 | 依本发明之发光二极体晶粒构造包含由蓝宝石形成之一长方形绝缘基层、形成于绝缘基层上之一氮化镓长晶层、形 |
| 15 | TW200830587 | 发光装置 | 2008.07.16 | 本申请案揭露一种发光装置，包含形成于基座上之光通道以及发光单元，其中光通道包含上侧面、相对于上侧面之 |
| 16 | TWI282632 | 半导体发光元件组成 | 2007.06.11 | 本发明揭露一种半导体发光元件组成，此半导体发光元件组成包含一复合材料基板、一电路布局载体、一黏接结构 |
| 17 | TWI282628 | 发光二极体 | 2007.06.11 | 本发明提供一种发光二极体，包含一发光结构、一异质接面(heterojunction)、一第一电极及一 |
| 18 | TW200813190 | 一种萤光材料及其制备方法 | 2008.03.16 | 本发明揭示一种磷酸盐类化合物萤光材料及其制备方法，该磷酸盐类化合物萤光材料之通式为AaBbPO4：M |
| 19 | TWI534245 | 萤光材料及其制备方法 | 2016.05.21 | 氮化物萤光材料，此萤光材料通式为(M1-x-yAx)(Al1-xSi1+x)N3：Euy，其中M=M |
| 20 | TW473889 | 高亮度发光二极体追加(一) | 2002.01.21 | 一种高亮度发光二极体，包含：一第一电极；一半导体基板，形成于该第一电极上；一具有第一导电性之第一束缚 |
| 21 | TW200737542 | 半导体发光元件及其制造方法 | 2007.10.01 | 本发明揭示一种半导体发光元件，其包括一半导体基板及设置于其上的一多层磊晶结构。半导体基板具有一垂直半 |
| 22 | TWI291246 | 发光装置及其制造方法 | 2007.12.11 | 一种发光装置包含基板、黏着层于基板上、二个多层磊晶层结构于基板上。每一多层磊晶层结构依序包含上包覆层 |
| 23 | TWI287299 | 半导体发光元件及其制程 | 2007.09.21 | 本发明系提供一种半导体发光元件及其制程。根据本发明之半导体发光元件包含一多层发光结构及一导热层。该多 |
| 24 | TWD175831 | 发光二极体之部分 | 2016.05.21 | 作系关于一种发光二极体之外观式样设计。本创作系一种新颖造型之发光二极体，包含一叠层结构及配置于叠层结 |
| 25 | TW461126 | 氮化铟镓发光二极体 | 2001.10.21 | 本发明是利用一个导电且透光的氧化物层取代知技艺的「镍/金层」【Ni/Au layer】作为氮化铟镓发 |
| 26 | TW461125 | 有机无机混合式发光二极体器件 | 2001.10.21 | 一有机无机混合式发光二极体器件包含:一无机发光二极体晶粒，能够发出第一波长范围之光线;以及一封装材料 |
| 27 | CN100355096C | 具有热吸收层的发光元件的制造方法 | 2007.12.12 | 本发明提供一种具有热吸收层的发光元件的制造方法，该制造方法包括下列步骤：于一第一衬底上外延生长形成一 |
| 28 | TWI535075 | 发光装置封装元件 | 2016.05.21 | 明提供一种发光装置封装元件，包括一发光装置晶片与一载体晶片。该载体晶片包括一第一接合垫与一第二接合垫 |
| 29 | TWI534390 | 照明结构及其制造方法 | 2016.05.21 | 明揭示一种照明结构，其包括一发光二极体装置，位于一基底上。一透镜固定于基底上且覆盖发光二极体装置。一 |
| 30 | TW200814350 | 发光元件及其制造方法 | 2008.03.16 | 本发明揭露一种适用于覆晶接合之发光元件及其制造方法，该发光元件包含具有复数个微凸块之电极，用以直接接 |
| 31 | CN100446633C | 具有复合基板的发光元件 | 2008.12.24 | 本发明公开一种具有复合基板的发光元件，其包括一复合基板，其中该复合基板包含一高热传导层以及围绕于该高 |
| 32 | CN1172379C | 倒置型发光二极管 | 2004.10.20 | 一种倒置型发光二极管，其包括：第一导电型基材，有第一面，和被局部蚀刻的第二面；第一电极，形成于基材第 |
| 33 | TWI535070 | 发光元件 | 2016.05.21 | 光元件，包含一基板；一第一半导体发光结构位于基板上，其中第一半导体发光结构包含一具有一第一导电性的第 |
| 34 | TWD175830 | 发光二极体之部分 | 2016.05.21 | 作系关于一种发光二极体之外观式样设计。本创作系一种新颖造型之发光二极体，包含一叠层结构及配置于叠层结 |
| 35 | CN101645475A | 发光元件及其制造方法 | 2010.02.10 | 本发明公开了一种光电元件制造方法，其步骤包含提供一半导体叠层；在半导体叠层上，利用印刷技术形成至少一 |
| 36 | CN102956800B | 波长转换结构及其制造方法以及发光装置 | 2016.08.03 | 本发明提供一种波长转换结构，包含：第一荧光粉层，包括多个第一荧光粉颗粒；以及第二荧光粉层，位于第一荧 |
| 37 | CN100568554C | 发光二极管装置及发光芯片 | 2009.12.09 | 本发明涉及发光二极管装置及发光芯片。该发光二极管装置包含一封装基座、一芯片载体形成于该封装基座上、一 |
| 38 | CN100585893C | 发光二极管及其制造方法 | 2010.01.27 | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管至少包括：一导电基板具有相对的第一表面以及第二表 |
| 39 | CN100403559C | 一种氮化物发光组件的三元氮化物缓冲层及其制造方法 | 2008.07.16 | 具有三元氮化物缓冲层的氮化物发光组件，包含衬底、形成于该衬底上的三元氮化物缓冲层、形成于所述缓冲层上 |
| 40 | TW200926462 | 发光装置 | 2009.06.16 | 一发光装置包含一基板、一发光叠层和一透明连接层。发光叠层位于基板之上，包含一第一漫射面。透明连接层位 |
| 41 | CN101656281A | 晶片发光结构及其制造方法 | 2010.02.24 | 本发明披露一晶片发光结构及其制造方法。该晶片发光结构包含一支持基板；一抗形变层，位于该支持基板之上； |
| 42 | CN100403124C | 平面光源装置 | 2008.07.16 | 一种平面光源装置，将光源预先收集混合后再输出以产生平面光源，可以避免因部分光源发生变异所产生的局部暗 |
| 43 | CN105990482A | 发光元件及其制造方法 | 2016.10.05 | 本发明提供一种发光元件及其制造方法，该发光元件包含：一基板，包含一上表面、一下表面、一第一侧表面连接 |
| 44 | CN101145591A | 发光装置 | 2008.03.19 | 本发明涉及发光装置，包含载体，该载体上表面具有第一接触垫及第二接触垫、绝缘透明粘结层，位于该载体、第 |
| 45 | CN105845800A | 发光装置 | 2016.08.10 | 本发明公开一种发光装置，具有一第一最外侧壁且包含一发光二极管以及一电极。发光二极管具有一电极垫及一侧 |
| 46 | CN101222008A | 发光二极管及其制造方法 | 2008.07.16 | 一种发光二极管(LED)及其制造方法。发光二极管至少包括一基板、一反射结构、一缓冲层以及一发光磊晶结 |
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